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第119章 提拉失败,设备出现严重问题 (2 / 3)

谢总裁信任,谢谢各位信任,我重新计算再试一次。”

“去吧。”

陈星并没有责怪的意思。

半导体硅片生产本身就难,如果这么轻易就解决,那就不需要100%依赖进口了,这是国产必须要经历的过程。

翟勇这时也站出来,提高数倍音量道:“石英坩埚重新加热到1450摄氏度保持,等待杨工程师计算出下次提拉速度。”

“石英坩埚重新加热,已设定1450摄氏度保持!”

“温度正在上升!”

设备操控员重复说道,确认数值没有出错。

而在另一边。

工厂的某间办公室内。

杨烈来到办公桌坐下,翻看沪硅集团失败的案例,并开始总结这次失败的经验。

想拉大尺寸硅棒,需要计算提拉速度、硅溶液、母晶与辐射热量。

先说提拉速度,单晶硅棒为什么可以提拉出来。

这是因为母晶,也就是晶种放入硅溶液以后,硅溶液里的硅晶体会附着在晶种上。

当它们附着时缓慢拉出,因为液体表面的温度下降,会由液态转变为固态。

这个现象就好比在极寒地区,屋内是23摄氏度,而外面是零下二十几度,当你拿着水枪往屋外喷水时,喷射的水柱接触到外面的冷空气会瞬间凝结成冰。

单晶硅棒的提拉法,操作原理亦是如此。

至于想要拉多大尺寸,则是取决于拉升速度和旋转速度。

旋转让四周硅晶体附着,拉升则是让附着的硅晶体冷却,期间还要多次调试拉升速度,不然后续会越发臃肿。

但杨烈仔细算过了,两小时后才需要调整提拉速度,这才一小时不到的时间,为什么母晶会断,附着太多硅晶体了?

他总结经验的同时,不断翻看沪硅集团的失败总结,可接连几次的计算,得出的结果还是提拉速度为每分钟3毫米。

“难道是提拉速度太慢了,调整到4毫米试试?”

杨烈继续计算。

他觉得是提拉速度太慢了,导致晶种附着的单晶硅太多,从而拉崩断了母晶。

提拉速度上升的话,附着的单晶硅就会减少。

想到这。

他连忙返回作业区域。

而陈星见杨烈这么快回来,立即询问道:“已经找到解决方案了?”

“暂时不确定是不是提拉速度的问题,还需要进一步实验。”

杨烈快速回答道。

他现在脑子很乱,有些怀疑自己的技术。

在他数次计算下,每分钟提拉速度是3毫米,可偏偏3毫米又把晶种给拉断。

目前他猜测三种情况。

一、提拉速度太慢,导致晶体附着过多,超出了原本的14寸,可能达到了20寸以上,晶种才会承受不住压力断开。

二、晶种纯度不够,杂质破坏了单晶硅面,硅晶体附着时,出现了空隙。

三、设备问题。

后两种情况,杨烈相信魏华韩铭的硅石提炼技术,也相信愿意陈星带来的设备没问题,所以他并没有去怀疑,而是认为自己可能是初次计算错误。

可六个小时后,石英坩埚炉确实提起来了一根单晶硅棒,直径却只有10寸,如果算上抛光打磨,最终只能作出8寸半导体硅片。

“为什么会这样?”

杨烈摸不着头脑,他又指挥下一次的提拉单晶硅棒,重新把速度调回3毫米每分钟。

然而…

又是一小时不到。

“嘣——”

晶种连接处再次断裂,提拉出来的单晶硅重重砸进硅溶液,发出一声闷响。

熔炼。

提拉。

崩断。

杨烈尝试了数次,陈星也没有离开硅工厂,而是与硅片工程师们同吃同住。

在经历了数次参数调整,时间也过去了三天,杨烈胡渣邋遢,还在计算哪里不对,这位老实人根本没去想机器和纯度的问题。

提纯人才韩铭看不下去,也试着帮忙寻找问题。

当他拿着单晶硅碎块去检测,瞳孔猛然收缩,立马吆喝道:

“有问题!提纯出问题了!单晶硅纯度仅为99.9999%,6n,这是工业级,不是半导体级别!”

声音传遍工厂,让负责提纯的魏华都愣住了。

6n?

怎么可能!

当初他们已经测过了,明明是11n的纯度!

多晶硅11n,单晶硅怎么可能是6n,这里面就一个熔炼提拉,除非掺杂出现了错误?

负责掺杂的翟勇更是懵逼,他也没掺杂杂质啊,他掺杂的是磷,增加硅片导电性的磷!

陈星也听见了韩铭的吆喝,立马将他喊住道:“韩工,到底是怎么回事?不是说11n多晶硅熔炼提拉就会得到单晶硅吗?”

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